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祝贺博士生陈笋的研究论文被电子器件领域知名期刊IEEE Electron Device Letters接受发表!
发表时间:2013-07-17 阅读次数:2214次

         祝贺博士生陈笋的研究论文“Novel Zn-Doped Al2O3 Charge Storage Medium for Light-Erasable In–Ga–Zn–O TFT Memory”被电子器件领域知名期刊IEEE Electron Device Letters接受发表!该论文将在2013年8月份正式刊出。

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