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实验室丁士进教授承担的国家重大专项课题顺利通过验收
发表时间:2013-01-11 阅读次数:1993次

        2012年12月6日至7日,国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”(02重大专项)实施管理办公室和总体组,组织验收专家组在上海宏力半导体制造有限公司,对02专项“0.13-0.09微米嵌入式自对准分栅闪存产品工艺开发与产业化”项目及6个课题进行了集中验收。本实验室丁士进教授承担的02重大专项课题“嵌入式闪存基础理论和新型材料的研究”(课题编号:2009ZX02302-002) 顺利通过了任务验收和财务验收。

        闪存产品广泛地应用于手机SIM卡、汽车电子、数码相机、PDA等领域,已渗透到人类生活的各个领域。丁士进教授与上海宏力半导体公司开展了全面合作,在纳米晶研究多年积累的基础上,主要开展新一代纳米晶存储器原型器件的研究。该课题用原子层淀积、金属氧化物高温分解诱导生长等技术获得了高密度Pt、ZnO、Pd、Ru等纳米晶,为纳米晶存储器提供了良好的电荷俘获层,如图1所示。采用凹型电荷隧穿层的能带设计,实现了低压下有效编程和擦除的功能。用钌基纳米晶和HfxAlyOz介质的异质电荷俘获层,极大地改善了存储窗口和电荷保持能力,如图2所示。完成了场效应晶体管结构和薄膜晶体管结构2种存储器原型器件的加工,实现了器件的存储功能。




图1 Pt、Pd和Ru纳米晶照片(复旦大学,2012)

 



图2 钌纳米晶和HfxAlyOz电荷俘获层的结构及其性能(复旦大学,2012)


        验收专家组认为,丁士进教授承担的课题完成了铂、钌等金属纳米晶的制备、栅叠层结构的设计和材料的筛选,在纳米晶存储器件结构、材料制备技术等方面取得了多项创新成果。

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